Ein Mitarbeiter beim Arbeiten im Reinraum an einem PROVE System bei ZEISS SMT
Photomaskenmetrologie-Lösungen

ZEISS PROVE Sie können nur korrigieren, was Sie messen können.

Das Image Placement bleibt ein wichtiger Aspekt der Photomaskenmetrologie. So muss nicht nur die Positionsgenauigkeit der Strukturen für eine einzelne Maske, die eine Ebene in einem vollständigen Chipdesign darstellt, strengen Anforderungen genügen. Der gesamte Maskensatz für alle Ebenen muss übereinstimmen, damit man eine funktionale Einheit erhält. Das Photomaskenregistrations- und Overlay-Metrologiesystem ZEISS PROVE misst das Image Placement mit Wiederholbarkeit und Genauigkeit im Subnanometerbereich, wodurch ein perfektes Image Placement gewährleistet ist.

  • Ermöglicht hochpräzise Vermessungen der Platzierung der Maskenstrukturen
  • Ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer
  • Ermöglicht EUV-Lithographie
  • Unterstützt EUV Defect Mitigation Strategy
  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Complex mask structure  

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Contact holes
     

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Complex mask structure

  • Strukturen einer Phoromaske unter dem Elektronenstrahlmikroskop

    Complex mask structure 

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Contact holes

  • SMS Metrology Solutions - ZEISS PROVE systems

    Complex mask structure

Hochauflösendes Registration- und Overlay-Metrologiesystem

Mit der Einführung von Mehrfach-Strukturierungs-Schemata müssen die meisten Ebenen, die hinsichtlich der kritischen Abmessungen schwierig sind, in getrennte Layouts aufgeteilt und miteinander überlagert werden. Diese Aufgaben erfordern Registration Metrology Systeme, die ein hohes Auflösungsvermögen und strenge Spezifikationen bei Wiederholbarkeit und Genauigkeit für präzise Messungen beim Image Placement aufweisen.

Eine Photomaske mit der typischen Regenbogenstruktur

Präzises Pattern Placement

Zur Realisierung fortgeschrittener Lithographietechniken

Die Einführung von Multibeam Maskenschreibern eröffnet die Möglichkeit, noch komplexere Strukturen zu schreiben, wie sie für inverse Lithographie (ILT) und EUV-Lithographie benötigt werden, ohne dass dadurch der Durchsatz beeinträchtigt wird. Die heutigen High-end Systeme erreichen auf Maskenebene eine Pattern Placement Genauigkeit unter 1 nm. Zur Kalibrierung und Justierung auf ein derartig hohes Leistungsniveau sind diese Tools vollkommen auf Registration Systeme mit geringem Messrauschen angewiesen.

ZEISS PROVE neXT wurde entwickelt, um sich diesen Anforderungen sowohl mit einzigartiger Wiederholbarkeit als auch einer hohen Abtastrate zu stellen.

Strukturen einer Photomaske unter einem Elektronenstrahlmikroskop

Ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer

Zur Erfüllung der strengsten Overlay-Spezifikationen

Wie der führende Hersteller von EUV- und DUV-Lithographie Systemen nachgewiesen hat, bietet ZEISS PROVE eine ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer, die für jegliche weitere Optimierung des Overlay in Wafer Fabs entscheidend ist.

Messung und Auswertung der Mask Flatness

Ermöglicht EUV-Lithographie

Messung und Auswertung der Mask Flatness

ZEISS PROVE wird durch hochpräzise Interferometrie für alle Abmessungen im Raum gesteuert. Dadurch kann das System zusätzlich die Mask Flatness für strukturierte und unstrukturierte Masken auswerten, wie es in der EUV-Lithographie erforderlich ist. Es liefert kombinierte Registration Daten für X, Y und Z für weitere Optimierung des Overlay in Wafer Fabs.

Lokalisierung von Blank- und Absorberdefekten auf EUV-Masken

Unterstützt EUV Defect Mitigation Strategy

Lokalisierung von Blank- und Absorberdefekten auf EUV-Masken

Neben der Photomasken Registration unterstützt ZEISS PROVE neXT auch die EUV Defektminderungsstrategie. Dank der Genauigkeit und dem Auflösungsvermögen des Positioniertisches ist das System in der Lage, Blank- und Absorberdefekte auf EUV-Masken präzise zu lokalisieren.

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