Eine  ZEISS Mitarbeiterin im Reinraum der SMT mit einer Photomaske
Photomaskenreparatur-Lösungen

Photomasken Reparatursysteme Defektfreie Photomasken dank elektronenstrahlbasierter Maskenreparatur

Die Skalierungstrends gehen weiterhin in Richtung kleinerer Technologieknoten und Strukturgrößen, sodass die EUV-Technologie in der Halbleiterindustrie zunehmend an Bedeutung gewinnt. Die damit verbundene Komplexität in der Maskenherstellung nimmt deutlich zu, wie auch die Notwendigkeit, Defekte auf high-end Photomasken zu reparieren. Mit MeRiT® bietet ZEISS optimierte Lösungen für die Reparatur verschiedenster Photomaskentypen an, mit denen die kleinsten Defekte behoben werden können. Das Particle Removal Tool (PRT) ermöglicht das Entfernen kleinster Partikel auf einer Photomaske. 

  • Ermöglicht eine defektfreie Maskenherstellung
Laptop und Papers mit Publikationen im Halbleiterbereich von ZEISS SMT
Neu

Pushing the limits of EUV mask repair

Journal of Micro/Nanopatterning, Materials, and Metrology I Vol. 20 · No. 3 | September 2021

Neue wissenschaftliche Arbeit über die Reparatur von Defekten auf EUV-Masken auf der Basis von eBeam Technologie.
Autoren: Tilmann Heil, Michael Waldow, Renzo Capelli, Horst Schneider, Laura Ahmels, Fan Tu, Johannes Schöneberg, Hubertus Marbacha  
http://dx.doi.org/10.1117/1.JMM.20.3.031013.

  

  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  •  Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können
  • Highend Photomaske mit kleinsten Strukturen, die mit ZEISS MeRiT repariert werden können

Hoch präzise elektronenstrahlbasierte Maskenreparatur

ZEISS MeRiT stehen für Systeme auf dem neuesten Stand der Technik für die Reparatur von high-end Photomasken und basieren auf durch fokussierten Elektronenstrahl induzierte Prozessierung. Sie ermöglichen die Reparatur extrem kleiner Defekte mithilfe von Elektronenstrahlsäulen, die für niedrigste Energien optimiert sind. Transparente und opaque Defekte vieler unterschiedlicher Geometrien auf binären, phasenschiebenden, Nanoimprint- und EUV-Masken können repariert werden. Die modulare Software des Systems liefert zusammen mit der Struktur-Kopierfunktion ein hohes Maß an Automatisierung. Der Rezept-basierte Ansatz bietet hohe Flexibilität und lässt benutzerspezifische Erweiterungen für neue Maskentypen zu.  

Weiter unten finden Sie die ganze Auswahl der aktuellen MeRiT® Systeme

Ausschnitt einer Photomaske mit Defekten vor der Reperatur mit ZEISS MeRiT
Ausschnitt einer Photomaske mit Defekten nach der Reperatur mit ZEISS MeRiT

Defektfreie Maskenherstellung – Reparatur kleinster Defekte ermöglicht die Herstellung perfekter Masken

Die Herstellung defektfreier Masken ist entscheidend, da jeder Defekt auf der Photomaske vielfach auf den Wafer aufgebracht wird, was zu fehlerhaften Mikrochips führt. Da nahezu jede Maske Defekte aufweist, ist eine verlässliche und effektive Reparaturtechnologie notwendig. Die durch Gase unterstützte Elektronenstrahl- (E-Beam-)Lithographie ermöglicht die Reparatur aller möglichen Defekte auf Masken verschiedener Art. Besonders bei sehr kleinen Strukturgrößen, wie sie in EUV-Masken vorkommen, ist MeRiT® die einzig verfügbare Lösung auf dem Markt, die solche Defekte zuverlässig reparieren kann.

So werden hochwertige EUV-Photomasken repariert

Schauen Sie sich das neue Video über ZEISS MeRiT® LE an

Kontakt

Melden Sie sich gerne bei uns

Formular wird geladen ...

Wenn Sie weitere Informationen zur Datenverarbeitung bei ZEISS haben möchten, lesen Sie bitte unsere Datenschutzhinweise.

Optionale Angaben